BDP949E6327HTSA1

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Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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集电极最大直流电流	3
安装	Surface Mount
Maximum Transition Frequency	100(Typ)
包装宽度	3.5
PCB	3
最大功率耗散	5000
类型	NPN
欧盟RoHS指令	Compliant
引脚数	4
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	60
最低工作温度	-65
供应商封装形式	SOT-223
标准包装名称	SOT-223
最高工作温度	150
包装长度	6.5
最大集电极发射极电压	60
最小直流电流增益	25@10mA@5V\|85@500mA@1V\|50@2A@2V
包装高度	1.6
最大基地发射极电压	5
封装	Tape and Reel
标签	Tab
铅形状	Gull-wing
集电极电流（DC ）	3 A
集电极 - 基极电压	60 V
集电极 - 发射极电压	60 V
发射极 - 基极电压	5 V
频率	100 MHz
功率耗散	5 W
工作温度范围	-65C to 150C
包装类型	SOT-223
元件数	1
直流电流增益	25
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
晶体管极性	NPN

型号	厂家	产品描述
BDP949E6327	infineon technologies	Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BDP949E6327T	Infineon Technologies AG	AF PWR TRANS SOT223 T&R 2K
BDP949-E6778	rochester electronics
BDP949H6327XT	Infineon Technologies AG	Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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